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  • 正负光刻胶的缺点对比一般来说线宽的用正性光刻胶,线窄的用负性光刻胶! 相对而言,正性光刻胶比负性光刻胶的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5...2017-10-09 17:41:05
  • SU-8光刻光刻工艺SU-8光刻胶工艺路线及工艺流程1) 对衬底进行清洗,并在200℃烘30分钟以上以去除表面水分子2) 用厚胶甩胶工艺在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8光刻胶...2017-10-09 17:36:09
  • 光刻胶模具加工工艺1.光刻胶模具加工工艺流程将设计好的芯片结构转移到掩版上经过负性光刻光刻到硅阳模。2.光刻胶模具使用的仪器及耗材仪器设备有:匀胶机、烘胶台、紫外光刻机...2017-10-09 17:14:32
  • SU-8 光刻胶及光刻工艺SU- 8光刻胶是一种环氧型的、近紫外光负光刻胶, 它基于环氧 SU- 8 树脂( 来源于橡胶工业)。 由于平均一个分子中含有 8 个环氧基, 所以名称 中包...2017-08-31 11:32:06
  • 光刻胶系列-化学放大型抗蚀剂及其重要概念提供了一个设计水基体系的可能性,替换经典的重氮萘醌酚醛体系。虽然化学放大光刻胶系统具有许多吸引人的特点,如高灵敏度、高对比度、高分辨率、和通用性,但...2017-08-25 09:07:57
  • 光刻胶及光刻工艺流程光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂,它是一种对光敏感的有机化合物,它受紫外光曝光后,在显影液的溶解度会发生变化。①光刻胶作用:将掩...2017-08-23 10:15:02
  • 正负性光刻胶分类光刻胶主要由树脂(Resin)、感光剂(Sensitizer)、溶剂(Solvent)及添加 剂(Additive)等不同的材料按一定比例配制而成。其...2017-08-22 13:05:14
  • 光刻胶基础知识光刻胶也称光致抗蚀剂(Photoresist,P.R.)。1.光刻胶类型凡是在能量束(光束、电子束、离子束等)的照射下,以交联反应为主的光刻胶称为负性...2017-08-21 10:09:09
  • 新型多触发极紫外光刻胶材料近年来,极紫外(EUV)光刻一直被认为是下一个可行的光刻方案。然而,在光学系统、掩膜版、光刻胶材料等方面的技术难题阻碍了这一技术的应用。例如,EUV光掩膜系统已经由原来的透...2017-08-17 11:54:14
  • 光刻胶(Photo Resist)知识大全光刻胶的定义及主要作用光刻胶是一种有机化合物,它受紫外光曝光后,在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上,曝光后烘烤成固态。 光...2017-08-10 14:58:20