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  • SU-8光刻胶的光刻工艺加热曝光晶片10分钟而进行热处理,或曝光后烘烤。浮雕图像随后通过将晶片在显影液中浸渍10分钟随后用水漂洗和在空气中干燥而显影。 膜厚与曝光时间关系表格...2016-11-28 10:30:08
  • 光刻胶使用过程中的注意事项坚膜温度稍低一些,时间稍短一些。 6、 显影条件的控制 显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中,温度和时间直接影响的速...2016-10-25 14:16:20
  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维...2016-10-24 09:17:41
  • 光刻胶的涂敷和显影胶的感光特性。    5、曝光    6、显影    将曝光后的硅片放到显影液中。对于负胶,通过显影溶胶掉未曝光区的胶膜;对于正胶,通过显影溶解掉曝光...2016-10-20 09:00:02
  • 如何选购光刻胶?                                  AZ显影液...2016-09-30 09:59:46
  • SU-8光刻显影工艺介绍                                 SU8显影液SU-8光刻胶特性SU-8克服了普通光刻胶采用UV深宽比不足的问题,在近...2016-08-31 10:04:12
  • 光刻胶显影和光刻工艺后 3、显影(develop) PEB 之后,硅片冷却至 23℃左右,与显影液温度相同,并与显影液发生化学反应。 一般来说,显影过程中被曝光和未曝光部...2016-08-26 09:51:03
  • 微流控芯片单层模具加工工艺放置烘胶台,根据光刻胶性能确定中烘时间,进行中烘处理。五、显影冷却后放入显影液中;具体显影时间由显影效果确定,显影2~3次,通风厨内氮气吹干。六、修饰...2016-04-29 14:44:58
  • 微流控PDMS芯片加工工艺作。整理加工台面。 注:所需仪器:电热板、匀胶机、烘胶台;耗材:光刻胶、显影液、硅片等。注:上文中提及的相关仪器:真空脱泡搅拌机、恒温干燥箱、显微镜、...2016-04-26 16:45:13
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