光刻胶的涂敷和显影

光刻胶也称为光致抗蚀剂。凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称负性光刻胶，简称负胶。

凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为正性光刻胶，简称正胶。

对于光刻胶的涂敷和显影，已下详细为大家讲解：

1、脱水烘烤

目的是去除硅片表面吸附的水分。

2、增粘处理

在烘烤后的硅片表面涂一层六甲基二硅亚胺，目的是增加硅片表面与光刻胶的粘附性。可采用蒸汽涂布法，也可采用旋涂法。

3、涂胶

    一般采用旋涂法。涂胶的关键是控制胶膜的厚度与膜后的均匀性。胶膜的厚度决定于胶的粘度和旋转速度。

    4、前烘（软烘）

    目的是去除胶中的大部分溶剂和稳定胶的感光特性。

    5、曝光

    6、显影

    将曝光后的硅片放到显影液中。对于负胶，通过显影溶胶掉未曝光区的胶膜；对于正胶，通过显影溶解掉曝光区的胶膜。几乎所有的正胶都使用碱性显影液。

显影过程中胶膜会发生膨胀。正胶的膨胀可以忽略，而负胶的膨胀则可能使图形尺寸发生变化。

显影过程对温度非常敏感。显影过程可影响较的对比度，从而影响胶的剖面形状。

7、后烘（硬烘、坚膜）

目的是使胶膜硬化，提高其在后续工序中的掩蔽性。

8、刻蚀

9、去胶