- 芯片光刻的流程详解（下）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，...2018-07-12 08:59:24
- 负压驱动皮升级等温核酸精确定量微流控芯片65 ℃和95 ℃分别烘烤3 min和12 min。最后, 将硅片浸泡在显影液中, 洗去未曝光的光胶。最后升温至250 ℃, 烘烤30 min, 将两...2018-07-10 08:46:34
- 光刻技术图形转移工艺二：光刻材料及设备形。 负胶在光刻工艺上应用最早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率（即光刻工艺中所能形成最小图形）不如正胶，因此对于...2018-06-07 08:41:19
- 光刻胶材料衬底上的不透明图形，以便在PR层上复制。PR经曝光后的区域有时变成可溶于显影液的，有时变成不溶于显影液的。如果曝光后变得可溶于显影液，则在PR上产生掩...2018-06-05 08:50:37
- 汶颢股份：硅片模具制作流程右拿出，氮气枪吹干（由远及近，沿管道吹），若有彩色，再洗；最后一次用干净显影液稍洗一下即可（使其干净）；最后，正面吹干，背面擦干净；阳胶显影：AZ d...2018-05-21 09:29:59
- 一文看懂光刻机发生曝光反应，实现电路图从掩模到硅片上的转移。5）显影光刻原理图使用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶可溶解区域， 使可见图形出现在硅片上，并区分需要刻...2018-05-16 08:59:54
- 软光刻技术：SU-8涂层及软光刻相关设备，如匀胶机（又叫旋涂机等）、烘胶台、SU-8系列光刻胶及显影液产品和相关技术输出服务。在软光刻技术中，通常用SU-8模具复制PDMS微...2018-03-16 09:26:49
- SU-8光刻胶产品性能及光刻工艺介绍随图形形状、深宽比、搅拌强度等因素不同而变化。 SU-8胶的显影原理是在显影液中溶解掉未曝光部分的光刻胶。当基片放人显影液中，未曝光部分的光刻胶会被显...2018-03-09 08:47:59
- 微流控技术的原理、制备以及应用有化学曝光、接触式和接近式复印曝光、光学投影成像曝光。⑤显影。用光胶配套显影液通过化学方法除去经曝光的光胶（正光胶）或未经曝光的光胶（负光胶），显影液...2018-02-24 09:04:10
- 【光刻百科】抗反射涂层 Anti-Reflection Coating (ARC)ection Coating, DBARC)主要有两种。一种是能直接溶于显影液的抗反射涂层(Wet- Developable BARC)，由于涂层材料...2018-01-15 09:26:04
