汶颢股份：硅片模具制作流程
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硅片模具制作总体来说为：2洗（清洗和显影）1曝光。
注：1. 每做一步停1~2min，温度，涂胶等均匀；2. 注意紫外光强度。
一、硅片清洗
1. 清洗硅片并准备掩膜：
1）浓H2SO4/H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；
2）打开电热板调至200℃；掩膜准备；
2. 超纯水清洗硅片；
注释：用镊子夹着硅片，不能使硅片放干；
3. 无水乙醇清洗硅片，1min（摇动或超声），不用水洗！
4. 丙酮清洗硅片，1min（摇动或超声）；
5. 超纯水清洗；
6. 吸水纸吸取边缘水分（勿放于吸水纸上）；
7. 用镊子夹住硅片，氮气吹干或者放在200℃电热板上方（不能接触），待彻底干后，放在电热板上5min；
二、硅片修饰
8. 将硅片放置于挥发缸中，滴入1~2滴修饰试剂（勿见水），≥3min；
注释：修饰试剂为1,1,1,3,3,3-Hexamethyldislazane, 98+%；
三、硅片甩胶（不同机器操作不同，供参考）
9. 打开压缩机，打开真空泵；
10. 将硅片放置于匀胶机正中，平衡好；铺AZ-50（阴胶SU-8），浓度越高，厚度越大，铺好后静止1~2min；
将200℃电热板调至90℃，打开65℃电热板；
打开汞灯：先开电源开关，按“触发”使其显示数字，平衡至电压显示稳定（汞灯预热15min后，电压显示41左右，电流6左右）；
11. 按预定程序甩胶：500 rpm 15 s，3000 rpm 1 min 15 s，按vacuum抽真空（必须>23），按run运行；
注释：甩胶程序设定，select program选择A模式，F1设置，step下一个参数；
12. 结束后，停止真空1~2min（目的是为了让硅片中间恢复平面，胶匀）；
四、硅片曝光（曝光时间仅供参考）
曝光前烘：放置于65℃ 1 min，90℃ 4 min，65℃ 1 min（加热中要调整以使其加热均匀）；
注释：阴胶和阳胶都有前烘过程，且过程一样；阴胶还有后烘过程（同前烘），阳胶没有；
1. 打开曝光机；放置硅片于曝光机硅片托盘上（调整于中央，靠紧里面）；
2. 打开真空泵，将吸片放在匀胶机上吸住（Vacuum）；
3. 曝光过程（提前设好曝光时间）：
1) 取下掩膜吸（托盘）；将贴有掩膜的玻璃放置于曝光机掩膜吸上；
2) 按“运行”；
3) Z向“锁紧”（实按钮）；
4) “吸掩膜”；
5) 放上掩膜吸托盘，拧紧；
6) “不吹氮”；
7) “吸片”；
8) 放入硅片托盘，调整硅片位置，正对掩膜；
9) Z向抬升锁紧，右拧（2次声音），粗调听到第2次声音，细调凭手感；
10) “真空复印”（真空度18左右，大气1 0.5 Mpa，大气2 0.25 Mpa）；
11) 曝光。
12) 左拧打开，“esc”取消吸片，“esc”返回；
13) 拿下掩膜吸托盘，取消“掩膜吸”，拿下掩膜；
14) 拿下硅片，阴胶后烘，阳胶直接显影；
15) 关闭汞灯，关闭曝光机。
注释：曝光时间根据光刻胶厚度而定，阳胶曝光75 s（若超过90 s，小于30 μm的通道易损害），阴胶曝光45s，阴胶曝光后65℃ 1min；
4. 曝光后烘（阴胶）：放置于65℃ 1 min，90℃ 4 min，65℃ 1 min（加热中要调整以使其加热均匀）；
五、显影
5. 阴胶显影：Su-8 developer（不能见水），< 3 min，适量；
注释：边摇边洗，1 min左右拿出，氮气枪吹干（由远及近，沿管道吹），若有彩色，再洗；最后一次用干净显影液稍洗一下即可（使其干净）；最后，正面吹干，背面擦干净；
阳胶显影：AZ developer﹕蒸馏水=1﹕3，配制80 mL，分装2皿，洗< 3 min，不好洗的话，适当延长时间，最后用超纯水冲洗干净；
6. 观察效果，结束制作；
7. 坚膜（可选）：115℃à室温；
8. 用工业用乙酸乙酯洗匀胶机，吸片吸上（切记！），转起来，从上倒洗液。
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