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  • AZ 5214E 光刻胶

    AZ 5214E 光刻胶

AZ 5214E 光刻胶

  • 型号AZ 5214E

AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶具有高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶，特别为lift-off工艺优化

AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。

AZ光刻胶特点：

  1. 适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）

  2. 适用于正/负图形

  3. 很宽的膜厚范围

AZ光刻胶工艺条件：

前烘：100℃ 60秒 (DHP)

曝光：1线步进式曝光机/接触式曝光机

反转烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒

全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)

显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle   

AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

清洗：去离子水30秒

后烘：120℃ 120秒（DHP） 

剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

AZ系列光刻胶 正胶进口 AZ 光刻胶系列参数及工艺说明

AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。


光刻胶产品型号及参数

光刻胶名称型号匀胶厚度
Merck AZ 正/负可转换型光刻胶AZ 52140.5-6um
AZ 50XT 正胶AZ 50XT40-80um
AZ 9260 正胶AZ 92606.2-15um
AZ 4620 光刻胶AZ 462010-15um
MicroChem SU-8 负胶SU-8 201513-38um
MicroChem SU-8 负胶SU-8 205040-170um
MicroChem SU-8 负胶SU-8 207560-240um
MicroChem SU-8 负胶SU-8 30108-15um
MicroChem SU-8 负胶SU-8 305044-100um

AZ光刻胶其他参数及说明：

AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶价格、工艺、参数、优缺点及说明


标签:   光刻胶

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