SU8光刻胶
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    AZ P4620 光刻胶

    • 型号AZ P4620

    AZ P4620 正性光刻胶特点超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。

    1. 详细信息

    AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。

    AZ光刻胶特点:

    1. 高对比度,高感光度

    2. 高附着性,对电镀工艺高耐受性

    3. 多种黏度可供选择

    AZ光刻胶工艺条件:

    前烘:100℃ 90秒 (DHP)

    曝光:G线步进式曝光机/接触式曝光机

    显影:AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 60~300秒 Puddle   

    清洗:去离子水30秒

    后烘:120℃ 60秒以上 

    剥离:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

    AZ系列光刻胶 正胶进口 AZ 光刻胶系列参数及工艺说明

    AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。


    光刻胶产品型号及参数

    光刻胶名称型号匀胶厚度
    Merck AZ /负可转换型光刻胶AZ 52140.5-6um
    AZ 50XT 正胶AZ 50XT40-80um
    AZ 9260 正胶AZ 92606.2-15um
    AZ 4620 光刻胶AZ 462010-15um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 201513-38um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 205040-170um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 207560-240um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 30108-15um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 305044-100um

    AZ P4620 正性光刻胶


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