- 刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀特殊区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性的刻蚀掉。 1.干法刻蚀和湿法刻蚀 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是...2017-08-23 16:26:42
- MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较湿法腐蚀是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一个曝光和显影过的光刻胶）或者一个硬掩膜（一个光刻过的抗腐蚀材料）后紧接该步腐蚀...2016-12-13 10:05:25
- PDMS/PMMA/GLASS实验室样本处理区块——提供玻璃切割，清洗，激光打孔等功能。样品加工区块——以湿法刻蚀为主，能够依据需要，加工各种尺寸的玻璃芯片。芯片表征区块——以扫描电镜...2024-04-26 16:52:03
- 技术培训控技术的培训，主要内容如下：? 实验室组建相关培训? 光刻工艺培训? 湿法刻蚀培训? 数控机床工艺培训? 软注塑工艺培训? 芯片封合相关技术培训? ...2024-04-26 16:52:03
- 微流控芯片实验室整体组建培训，主要内容如下： 实验室组建相关培训、光刻工艺培训、湿法刻蚀工艺培训、软注塑工艺培训、机加工工艺培训、芯片封合相关技术培训。 ...2024-04-26 16:52:03
- 光刻加工12寸晶圆，旋涂均匀性好，粘附性高，成品质量好。刻蚀工艺刻蚀工艺主要有湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀是一种纯化学刻蚀，利用液体化学试剂与待刻蚀材料反应...2024-04-26 16:52:03
- 微流控分析芯片S：加工线宽在0.2微米以上，深宽比最大可到5:1;玻璃/石英/硅片：湿法刻蚀，线宽在0.5微米以上;电极结构（金、铂金、铝和其他合金）：线宽在5微...2018-11-16 15:58:38
- 汶颢微流控芯片加工工艺介绍芯片，管道加工误差可以在10μm以内，切割误差可以控制在20μm以内。湿法刻蚀宽深比>2:1，通道内壁光滑。五、磁控溅射工艺可以在硅片或者玻璃上溅射...2016-10-11 10:30:26
- AZ 9260 光刻胶厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。光刻胶产品型号及参数光刻胶名称型号...2024-03-28 10:31:40
- AZ 50XT 光刻胶厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。光刻胶产品型号及参数光刻胶名称型号...2024-03-28 10:30:59
