抛光硅片

产品尺寸

1-4英寸

生长方法

直拉单晶（Cz）

表面抛光

单面抛光

直径公差

100.2±0.3mm

掺杂类型

掺杂剂（磷或硼）

晶体取向

100  111

电阻率Ω

＜0.0015 Ω.cm  0.001-0.5Ω.cm  1-10Ω.cm

平整度TIR

＜3um

翘曲度TTV

＜10um

弯曲度BOW

＜10um

抛光粗糙度Ra

＜0.5nm

颗粒度Pewaferr

＜（for size＞0.3um）

厚度um

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用途

用于微流控芯片光刻工艺模具、工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、AFM、红外光谱 荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多科研用途。