- 晶圆显影方式之浸泡式显影和喷淋式显影上得到出所需的图案。具体来说：在正胶中，曝光部分在显影过程中会被洗去。在负胶中，未曝光部分在显影过程中会被洗去。显影液的显影机理正胶当正胶受到曝光时...2024-02-19 10:42:43
- 匀胶显影设备工艺原理、结构及常见故障分析（H+）提供反应所需的能量，在短时间内发生化学反应。显影：正胶的曝光区与负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中被去除，其余的光刻胶被保留在晶圆上，形成三维...2023-12-22 09:53:09
- 正负光刻胶的区别及特性产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。通常负胶的灵敏度高于正胶 (2) 分辨率区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关...2023-08-03 08:56:30
- 什么是光刻胶？子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为 负性光刻胶，简称 负胶。凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶...2023-08-02 08:55:55
- 光刻胶的特性及工艺流程效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 通常负胶的灵敏度高于正胶(2) 分辨率 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一...2022-09-23 08:42:39
- 光刻胶的主要成分和技术参数速度就越大，负光刻胶通常需5～15s时间曝光，正光刻胶较慢，其曝光时间为负胶的3～4倍。 （9）针孔密度。针孔是光刻胶层尺寸非常小的空穴。针孔是有害...2022-09-19 08:34:41
- 光刻胶的主要技术参数 须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
附：汶颢商城，光刻胶——http...2022-06-30 16:46:37
- 光刻技术种类及光刻胶的分类曝光，利用光刻胶的感光性和抗蚀性，经过化学显影，制作出与掩膜版图形一致(负胶的情况)或者是相反(正胶情况)的光刻胶图形。 紫外光刻技术使用的光刻胶是...2021-12-30 15:50:44
- 微流控芯片材料的选择刻胶有两种基本类型，一种在曝光时发生交联反应形成曝光前更难溶的聚合物，即负胶，如光刻胶；另一种在光时聚合物发生链断裂分解而变得更容易溶解，即正胶，如...2021-09-18 14:29:51
- 一种细胞培养微芯片的制作及应用于透光性不好,不便于观察细胞的形态,因此硅材料多用于刻蚀或者是在其表面用负胶加工制作模具,用于模塑的方法形成细胞培养芯片。玻璃不仅具有良好的微加工性...2019-03-01 10:26:37
