- 负显影 Negative Tone Development (NTD)光刻的多数光刻胶是正性胶。然而，随着半导体工艺节点的不断缩小，使用传统的正胶以碱性水溶液显影液来印刷小特征例如小尺寸的沟槽和通孔已经变得更具挑战性，...2018-07-24 09:10:22
- 芯片光刻的流程详解（下）择性溶解的过程，最重要的是曝光区和未曝光区之间溶解率的比值(DR)。商用正胶有大于1000的DR比，在曝光区溶解速率为3000nm/min，在未曝光...2018-07-12 08:59:24
- 芯片光刻的流程详解（上），因为它们不直接参与光刻胶的光化学反应。根据性质的不一样，光刻胶可以分为正胶和负胶。 在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI...2018-07-12 08:36:24
- 光刻技术图形转移工艺二：光刻材料及设备1.光刻胶正胶负胶光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。 光刻胶有正胶和...2018-06-07 08:41:19
- 光刻技术图形转移工艺一：照相技术的启发的晶圆片进行曝光，此过程相当于印相时的感光。光刻胶感光后其特性发生改变，正胶的感光部分变得容易溶解，而负胶则相反。 3、对晶圆片进行显影。正胶...2018-06-01 11:17:53
- URE-2000/30型光刻机6英寸）l 曝光波长：365nml 分辨力：≤1mm（胶厚1.5 mm的正胶）l 对准精度：±0.6mml 显微镜扫描台运动范围：X：10mm;Y:...2018-05-02 13:33:01
- URE-2000/17型光刻机（台式）积：4英寸l 曝光波长：365nml 分辨力：1.5mm（胶厚2 mm的正胶）l 对准精度：±1mml 掩模样片整体运动范围：X：15mm;Y:15...2018-05-02 13:27:42
- 光刻工艺所需药品及设备与操作步骤学系统等，皆为必备的条件。一.光刻实验所需药品及设备 化学药品：光刻胶（正胶）、显影液：5‰ 氢氧化钠溶液、甲醇、蒸馏水、丙酮。实验仪器：匀胶机、烘...2017-12-21 08:48:35
- 光刻胶成分及用途刻胶分类及类型光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子...2017-10-31 17:26:19
- URE-2000/35型光刻机00mm（可升级150mm×150mm）◆分辨力：1μm（胶厚2 μm的正胶）◆ 对准精度：±1μmm◆掩模样片整体运动范围：X：6mm;Y:6mm...2017-10-30 16:50:00
