- 晶圆显影方式之浸泡式显影和喷淋式显影刻胶中被曝光或未被曝光的部分，从而在晶圆上得到出所需的图案。具体来说：在正胶中，曝光部分在显影过程中会被洗去。在负胶中，未曝光部分在显影过程中会被洗...2024-02-19 10:42:43
- 匀胶显影设备工艺原理、结构及常见故障分析效应，为质子酸（H+）提供反应所需的能量，在短时间内发生化学反应。显影：正胶的曝光区与负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中被去除，其余的光刻胶被保留在晶...2023-12-22 09:53:09
- 正负光刻胶的区别及特性希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。通常负胶的灵敏度高于正胶 (2) 分辨率区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡量分辨...2023-08-03 08:56:30
- 什么是光刻胶？子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为 正性光刻胶，简称 正胶。• 正胶：曝光显影后可溶与显影液• 负胶：曝光显影后不溶与显影液 根据...2023-08-02 08:55:55
- 光刻胶的特性及工艺流程望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 通常负胶的灵敏度高于正胶(2) 分辨率 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡...2022-09-23 08:42:39
- 光刻胶的主要成分和技术参数越少，但它也降低了分辨率，光刻胶厚度的选择过程中需权衡这两个因素的影响。正胶的纵横比较高，所以正胶可以用更厚的光刻胶膜达到想要的图形尺寸，而且针孔密...2022-09-19 08:34:41
- 光刻胶的主要技术参数 置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
附：汶颢商城，光刻胶——http://www.s...2022-06-30 16:46:37
- 光刻技术种类及光刻胶的分类和抗蚀性，经过化学显影，制作出与掩膜版图形一致(负胶的情况)或者是相反(正胶情况)的光刻胶图形。 紫外光刻技术使用的光刻胶是一种对某些波长光敏感的记...2021-12-30 15:50:44
- 微流控芯片材料的选择，即负胶，如光刻胶；另一种在光时聚合物发生链断裂分解而变得更容易溶解，即正胶，如光刻胶。最有代表性的光敏聚合物材料是光刻胶。PDMS是一种环氧型聚合...2021-09-18 14:29:51
- 基于尼龙微孔薄膜的微流控芯片的制作及对葡萄糖的显色响应对混合纤维素酯膜、聚四氟乙烯膜和尼龙膜等多种薄膜研究比较后发现,紫外光刻正胶能很好地浸润混合纤维素酯膜,但长时间的浸润会导致该薄膜变形、溶解,因此不...2018-08-03 09:43:34
