- 光刻胶种类及其成分V时）、分辨率1.0μm、对比度0.95。限制分辨率的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。4、正性电子束光刻胶主要为甲基丙烯甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合...2016-10-25 09:49:43
- 光刻工艺与刻蚀技术的研究,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二...2016-10-24 09:17:41
- 光刻过程中的缺陷分析环境)等因素引起随机分布的点缺陷。 每一次光刻需要经过匀胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶等多次步骤，循环周期长。工艺过程中由于人流、物流、环境...2016-10-20 10:37:19
- 微流控芯片加工需要哪些设备?光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过...2016-10-19 10:49:04
- 光刻技术的基本原理光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光...2016-10-10 10:13:26
- 如何选购光刻胶？理的选择。划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在曝光之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，...2016-09-30 09:59:46
- 光刻机工作原理和组成硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干...2016-08-24 11:03:30
- 光刻胶的类型和优缺点分析分辨率的有：光源、曝光方式和光刻胶本身（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）。通常正胶的分辨率高于负胶。3、对比度对比度的定义...2016-08-23 10:12:23
- 微流控芯片制作与修饰光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序Photolithography（光刻） 意思是用光来...2016-05-27 13:53:09
- 微流控芯片单层模具加工工艺光后，取出模板放置烘胶台，根据光刻胶性能确定中烘时间，进行中烘处理。五、显影冷却后放入显影液中；具体显影时间由显影效果确定，显影2~3次，通风厨内氮...2016-04-29 14:44:58
