- 光刻胶基础知识辨率的因素有：光源、曝光方式和光刻胶本身（包括灵敏度、对比度、颗粒大小、显影时的溶胀、电子散射等）。通常正胶的分辨率要高于负胶。2.光刻胶材料光刻胶...2017-08-21 10:09:09
- 新型多触发极紫外光刻胶材料于聚合物的使用。其他影响LER值的因素有散射噪声、PAG位置、酸扩散以及显影液的选择。几乎没有商用材料可以保证LWR在3nm以下，所以更高灵敏度的光...2017-08-17 11:54:14
- 微流控芯片加工技术介绍,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二...2017-08-15 12:32:28
- 光刻胶（Photo Resist）知识大全光刻胶的定义及主要作用光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。 光刻胶的作用： 1、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中...2017-08-10 14:58:20
- 新途径！无需光刻胶，多种纳米材料通过光刻形成图案路图案的掩膜版照射到硅基片上，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；然后再用显影液溶解未感光的光刻胶，从而使得掩膜版上的图案被复制到光刻胶薄膜上；最后，...2017-08-03 16:41:44
- 新型生物传感器，让细胞“亮”起来磁谐振技术，主要由两种磁性材料组成，包括“开关材料”(磁性纳米颗粒)和“显影材料”(顺磁性MRI造影剂)，两种材料之间的距离不同，核磁共振图像的亮度...2017-02-27 09:31:51
- MEMS湿法刻蚀和干法刻蚀的比较是使用液态腐蚀剂系统化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一个曝光和显影过的光刻胶）或者一个硬掩膜（一个光刻过的抗腐蚀材料）后紧接该步腐蚀。这个...2016-12-13 10:05:25
- 生产光刻胶及使用光刻胶需注意的事项以，光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性，以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且，其发展趋势是替换...2016-12-09 09:51:02
- 光刻胶发展历程光刻胶又称为光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。其两大作用为：1、将掩膜版上的图形转移到晶圆表面...2016-12-07 14:25:53
- 微流控芯片加工过程中用到的仪器设备光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻过程中涉及到的试剂以及设备如下：光刻胶： 又称光...2016-12-05 14:58:36
