芯片刻蚀技术中的干法刻蚀技术

刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本知道工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。对于芯片刻蚀来说，刻蚀被分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。

干法刻蚀技术是利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击去除物质的方法。

干法刻蚀特点

各向异性，纵向的刻蚀速率远大于横向的刻蚀速率；

离子对光刻胶和无保护的薄膜同时进行刻蚀，选择性比湿法腐蚀差。

干法刻蚀的分类

1、等离子体刻蚀：利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀。

具有比较好的选择性，各向异性相对较差。

      2、溅射刻蚀：高能离子轰击需要刻蚀的材料表面，通过溅射的物理过程完成刻蚀。

具有比较好的各向异性，但选择性相对较差。

      3、反应离子刻蚀：介于溅射刻蚀与等离子刻蚀之间的刻蚀技术，桐树利用了物理溅射和化学反应的刻蚀机制。

可以灵活地选取工作条件以求获得最佳的刻蚀效果，同时具有较好的选择性和各向异性。