苏州汶颢微流控技术股份有限公司

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MEMS工艺加工服务

汶颢股份提供高质量的微纳工艺加工服务和微纳工艺加工咨询。可提供定制的工艺包括:

1.MEMS光刻工艺:对光刻胶掩膜进行图形化,最小线宽0.5μm。可用于:①微流控芯片的通道图形制备;②作为反应离子刻蚀、深硅刻蚀和湿法腐蚀等工艺的掩蔽层;③作为金属图形化剥离工艺的牺牲层。

MEMS定制加工光刻工艺

2.电子束蒸发:蒸发Ti、Al 、Ni、Au、Ge、Cr、Pt等金属薄膜,蒸发速率0.1A/s-20A/s,最大蒸发厚度可至2μm。

3.磁控溅射:溅射Ti、Al 、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Pd、Zn等金属薄膜,溅射速率0.1A/s-10A/s,反溅射功率0-200W,溅射功率50-500W,溅射厚度:普通金属5nm-2000nm,贵金属5nm-500nm。

4.原子层沉积ALD:可沉积高质量氧化铝薄膜。

5.光学镀膜机

6.热蒸发:In蒸发最大电流200A。3μm厚度起,最大单次工艺10μm。Ag蒸发最大电流150A。

7.等离子体增强化学气相沉积

8.LPCVD化学气相沉积:可生长致密的高质量Si3N4薄膜,厚度10nm-300nm。

9.反应离子刻蚀(RIE):可用于干法刻蚀Si3N4和SiO2,刻蚀深度10nm-2000nm

10.深硅刻蚀:可用于干法刻蚀硅,刻蚀深度50nm-600μm。

汶颢股份提供MEMS芯片工艺定制加工服务。



标签:   MEMS加工