MEMS工艺加工服务

汶颢股份提供高质量的微纳工艺加工服务和微纳工艺加工咨询。可提供定制的工艺包括：

1.MEMS光刻工艺：对光刻胶掩膜进行图形化，最小线宽0.5μm。可用于：①微流控芯片的通道图形制备；②作为反应离子刻蚀、深硅刻蚀和湿法腐蚀等工艺的掩蔽层；③作为金属图形化剥离工艺的牺牲层。

2.电子束蒸发：蒸发Ti、Al 、Ni、Au、Ge、Cr、Pt等金属薄膜，蒸发速率0.1A/s-20A/s，最大蒸发厚度可至2μm。

3.磁控溅射：溅射Ti、Al 、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Pd、Zn等金属薄膜，溅射速率0.1A/s-10A/s，反溅射功率0-200W，溅射功率50-500W，溅射厚度：普通金属5nm-2000nm,贵金属5nm-500nm。

4.原子层沉积ALD：可沉积高质量氧化铝薄膜。

5.光学镀膜机

6.热蒸发：In蒸发最大电流200A。3μm厚度起，最大单次工艺10μm。Ag蒸发最大电流150A。

7.等离子体增强化学气相沉积

8.LPCVD化学气相沉积：可生长致密的高质量Si3N4薄膜，厚度10nm-300nm。

9.反应离子刻蚀（RIE）：可用于干法刻蚀Si3N4和SiO2,刻蚀深度10nm-2000nm。

10.深硅刻蚀：可用于干法刻蚀硅，刻蚀深度50nm-600μm。

汶颢股份提供MEMS芯片工艺定制加工服务。