汶颢股份:硅片模具制作流程
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汶颢股份:硅片模具制作流程

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 汶颢硅片模具

硅片模具制作总体来说为:2洗(清洗和显影)1曝光。

1. 每做一步停1~2min,温度,涂胶等均匀;2. 注意紫外光强度

 

一、硅片清洗

1. 清洗硅片并准备掩膜:

1H2SO4/H2O2=3115min1次洗液可以用1周;H2O2 30%);

2打开电热板调至200℃;掩膜准备;

2. 超纯水清洗硅片

注释:用镊子夹着硅片,不能使硅片放干;

3. 无水乙醇清洗硅片1min(摇动或超声,不用水洗!

4. 丙酮清洗硅片,1min(摇动或超声);

5. 超纯水清洗;

6. 吸水纸吸取边缘水分(勿放于吸水纸上);

7. 用镊子夹住硅片,氮气吹干或者放在200℃电热板上方(不能接触,待彻底干后,放在电热板上5min

 

二、硅片修饰

8. 将硅片放置于挥发缸中,滴入1~2修饰试剂(勿见水),≥3min

注释:修饰试剂为1,1,1,3,3,3-Hexamethyldislazane, 98+%

 

三、硅片甩胶(不同机器操作不同,供参考)

9. 打开压缩机打开真空

10. 将硅片放置于匀胶机正中,平衡好;铺AZ-50(阴胶SU-8),浓度越高,厚度越大,铺好后静止1~2min

200℃电热板调至90℃,打开65电热板;

打开汞灯:先开电源开关,按“触发”使其显示数字,平衡至电压显示稳定(汞灯预热15min后,电压显示41左右,电流6左右);

11. 按预定程序甩胶500 rpm 15 s3000 rpm 1 min 15 svacuum抽真空(必须>23),按run运行;

注释:甩胶程序设定,select program选择A模式,F1设置,step下一个参数 

12. 结束后,停止真空1~2min(目的是为了让硅片中间恢复平面,胶匀);

 

四、硅片曝光(曝光时间仅供参考)

曝光前烘:放置于65 1 min90 4 min65 1 min(加热中要调整以使其加热均匀);

注释:阴胶和阳胶都有前烘过程,且过程一样;阴胶还有后烘过程(同前烘),阳胶没有;

1. 打开曝光机;放置硅片于曝光机硅片托盘上(调整于中央,靠紧里面);

2. 开真空泵,将吸片放在匀胶机上吸住(Vacuum

3. 曝光过程(提前设好曝光时间):

1) 取下掩膜吸(托盘);将贴有掩膜的玻璃放置于曝光机掩膜吸上;

2) “运行”;

3) Z向“锁紧”(实按钮);

4) “吸掩膜”;

5) 放上掩膜吸托盘,拧紧;

6) “不吹氮”;

7) “吸片”;

8) 放入硅片托盘,调整硅片位置,正对掩膜;

9) Z向抬升锁紧,右拧(2次声音),粗调听到第2次声音,细调凭手感;

10) “真空复印”(真空度18左右,大气1 0.5 Mpa,大气2 0.25 Mpa);

11) 曝光。

12) 左拧打开,esc”取消吸片,“esc”返回;

13) 拿下掩膜吸托盘,取消“掩膜吸”,拿下掩膜;

14) 拿下硅片,阴胶后烘,阳胶直接显影;

15) 关闭汞灯,关闭曝光机。

注释:曝光时间根据光刻胶厚度而定,阳胶曝光75 s(若超过90 s,小于30 μm的通道易损害),阴胶曝光45s,阴胶曝光后65 1min

4. 曝光后烘(阴胶):放置于65 1 min90 4 min65 1 min(加热中要调整以使其加热均匀);

 

五、显影

5. 阴胶显影:Su-8 developer(不能见水),< 3 min,适量;

注释:边摇边洗,1 min左右拿出,氮气枪吹干(由远及近,沿管道吹),若有彩色,再洗;最后一次用干净显影液稍洗一下即可(使其干净);最后,正面吹干,背面擦干净;

阳胶显影AZ developer﹕蒸馏水=13,配制80 mL,分装2皿,洗< 3 min,不好洗的话,适当延长时间,最后用超纯水冲洗干净;

6. 观察效果,结束制作

7. 坚膜(可选):115à室温;

8. 用工业用乙酸乙酯洗匀胶机,吸片吸上(切记!),转起来,从上倒洗液。

 

 

 

 

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