- 什么是等离子体?等离子体亦被称为物质的第四态最早在1920年代，Langmuir等人首先研究等离子体中的现象，而在1929年Langmuir使用了「等离子体（plas...2017-12-22 09:58:29
- PDMS/PMMA/GLASS实验室的处理有极大帮助。通风橱：完成芯片表面改性等等设计化学药品的环节。高能等离子体设备：完成对玻璃芯片的封装。注射泵：在芯片功能区，通常需要注射泵将目标...2024-04-24 02:52:34
- SU-8光刻胶模具使用其他基底如表面修饰的玻璃。环氧树脂SU-8模具加工常用设备/耗材：等离子体处理机、匀胶机（旋涂机）、紫外线曝光机、热板、SU-8显影液等。SU-...2024-04-24 02:52:34
- 光刻加工层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案存在一定的偏差。干法刻蚀是利用等离子体与待刻蚀材料相互作用（物理轰击和化学反应），从而除去未被光刻胶保护的材...2024-04-24 02:52:34
- 纸芯片如下：序号制作方法疏水材质最小亲水通道宽度（微米）优点/缺点需要仪器1等离子体处理技术AKD1000试剂成本低廉/需制作金属掩膜等离子清洗机，加热装...2020-01-06 15:12:58
- WH-HPC-01手持式等离子清洗机发生器产生高压高频能量在喷嘴钢管中被激活和被控制的辉光放电中产生了低温等离子体，借助压缩空气将等离子体喷向工件表面，大大增加了工件表面的附着力、相容...2022-10-10 10:14:21
- 基于非牛顿微液滴的粒子封装及检测（上）块, 用外径1 mm的打孔器在入口和出口处打孔, 然后将PDMS模块氧等离子体键合到玻璃显微镜载玻片(25 mm × 75 mm)上, 使用聚乙烯管...2024-04-08 11:01:20
- AZ 5214E 光刻胶子水30秒后烘：120℃ 120秒（DHP） 剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率...2024-03-28 10:29:49
- AZ P4620 光刻胶洗：去离子水30秒后烘：120℃ 60秒以上 剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率...2024-03-28 10:29:14
- 用于定量检测弱表面亲和力分子的微流控SERS芯片的银聚集体。结果表明，表面柠檬酸盐不仅可以通过多氢键将分析物“滞留”在等离子体表面，而且可以作为稳定的内标，很好地解决了这两个挑战。结果表明，使用1...2024-01-30 10:40:42
