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    抛光硅片

    • 型号

    大小1英寸到4英寸不等,厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度,单面抛光。

    1. 详细信息

    抛光硅片简介

    大小1英寸到4英寸不等,厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度,单面抛光。


    抛光硅片参数及用途:

    参数类型

    Si技术指标

    产品尺寸

    1-4英寸

    生长方法

    直拉单晶(Cz)

    表面抛光

    单面抛光

    直径公差

    100.2±0.3mm

    掺杂类型

    掺杂剂(磷或硼)

    晶体取向

    100  111

    电阻率Ω

    0.0015 Ω.cm  0.001-0.5Ω.cm  1-10Ω.cm

    平整度TIR

    3um

    翘曲度TTV

    10um

    弯曲度BOW

    10um

    抛光粗糙度Ra

    0.5nm

    颗粒度Pewaferr

    <(for size0.3um

    厚度um

    请咨询

    用途

    用于微流控芯片光刻工艺模具工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRDSEM、AFM、红外光谱 荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多科研用途。


    标签:   硅片