光刻基本操作步骤_光刻技术_汶颢股份
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光刻基本操作步骤

一、认真核对随工单:检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符,如果正确,将其倒入黑盒中,用倒边器检查片子是否有崩边,若有则查对随工单上是否有标明,若无,退回上步工序。确定无误后,按照随工单上的要求制作。

二、光刻的主要步骤:

匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查

匀胶

目的:在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的光刻胶

准备工作:

①、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片

②、检查胶瓶内光刻胶(胶液面距瓶底5厘米,及时更换新胶,并填写“换胶记录表”) 

③ 、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表,选择正确的匀胶程序

光刻胶类型及加工类型

注意:在匀胶过程中,如发 生不明原因的报警应通知设备人员;停用5分钟以上应先匀3个陪片,方可进行正式片的匀胶。

前烘

目的:将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发,增强抗显影能力

主要步骤:

①、将匀完胶的硅片从黑色的片架中倒入白色的四氟片架中

②、将硅片放入烘箱中,负胶烘15分钟,正胶25分钟

③、将烘好的硅片取出,倒入黑色聚乙烯片架中

注意:操作时必须带上手套操作

曝光

目的:将掩膜版上的图形复印到硅片上

主要步骤:

①、检查光刻版:将光刻版放在UV灯下检查,照射背面检查是否有颗粒,若有用氮气吹掉,切忌不要吹正面

②、装版:将版盒打开,开口方向背对自己,将光刻版正面朝下,箭头朝左下方,扣上版盒,准备曝光

③、上版与对版:

        RTLD〉RCHG/N

        FILE NAME = C:MK609-

        RETICLE NAME = M2

        EXECUTE?

   ④、 曝光操作:

        FEXP〉PRNT/IO             

PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_找到  EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间(见 “曝光时间确定表”)HOW MANY WAFERS = _1_待片子上到载片台后,手动对准标记进行曝光,显影,检验,确认无误后,对硅片继续进行曝光

曝光时间确定表

光刻胶曝光时间

显影

目的:将未感光部分的负性光刻胶溶除,留下感光部分的胶膜;将感光部分的正性光刻胶 除,留下未感光部分的胶膜

注意事项:

①、检查N2压力不低于22PSI,真空压力必须大于22或23Hg/cm2,显影液压力调制15PSI

②、检查显影液是否够,若不够,要及时添加

③、机器若出现故障,及时通知班长或技术员

光刻胶显影

注意:氧化层光刻后带胶注入的片子一定要走热盘

显影后检查

目的:确定光刻胶成像情况及表面情况是否符合要求,以确定能否进行下道工序

基本步骤:

①、UV灯下检查光刻胶是否有划伤、沾污或覆盖不完全的情况

②、显微镜下检查是否没有光刻胶图形、重复曝光、浮胶、图形 套偏(错行,错位)、接触不良、曝光不适度、光刻胶覆盖不完全、显影不彻底、连条、沾污、缺口、毛刺等现象




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